Samsung intră în cursa tranzistorilor FinFET, rezultatele le vom vedea însă abia peste circa trei ani

Gigantul sud-coreean Samsung nu este doar cel mai mare producător de telefoane mobile, televizoare sau memorii DRAM, dar şi unul dintre liderii întregii industrii a semiconductorilor. Plasat pe locul secund în 2011 de către iSuppli, compania îşi va menţine cel mai probabil această poziţie şi în acest an, fiind depăşită doar de gigantul Intel şi urmată de la fel de celebru producător de chipuri TSMC.
Cu un buget pentru cercetare şi dezvoltare cifrat la 9 miliarde de dolari, compania este decisă să recupereze cât mai repede posibil avansul tehnologic al rivalului Intel, iar cel mai recent anunţ este cel al finalizării primei sale implementări a tranzistorilor FinFET.
Faţă de clasicii tranzistori PDGT folosiţi în prezent pentru fabricarea chipurilor, FinFET foloseşte un design tridimensional mult mai pretenţios, care a cunoscut un interes major în ultimii 10 ani datorită avantajelor acestuia. Mia dificil de implementat, aceştia oferă însă o amprentă mai mică, cere tensiuni ceva mai scăzute şi are pierderi energetice mai mici, fiind astfel o opţiune mai bună pentru procesele de fabricaţie mai mici de 40 de nanometri.

Implementarea Samsung este realizată într-un proces de fabricaţie pe 14 nanometri, aceasta fiind rezultatul colaborării cu Synopsys, un puternic integrator industrial din Statele Unite. De această nouă tehnologie va beneficia nu doar compania Samsung, ci şi clienţii săi, cum ar fi de pildă puternicul Qualcomm, care s-a orientat către uzinele sud-coreenilor pentru a trece de problemele de disponibilitate pe care i le-a creat TSMC.
Când vom vedea şi primele produse finite bazate pe această nouă tehnologie, rămâne însă de văzut. Rivalul Intel deja foloseşte FinFET în cadrul ultimelor sale procesoare din generaţia Ivy Bridge şi a anunţat că o va implementa şi în procesoarele mobile Atom în 2013, însă este vorba de un proces de fabricaţie pe 22 de nanometri.
Tehnologia Samsung este dezvoltată însă exclusiv pentru procesul de 14 nanometri, iar uzinele companiei folosesc în prezent încă procese de fabricaţie pe 32 nm, trecerea la 28 nm urmând să se facă în anul care stă sa înceapă, iar cea de 20 nm fiind preconizată pentru 2014. Intel a anunţat că va trece la tehnologiile de fabricaţie pe 14 nm undeva în cursul lui 2014, Samsung urmând să ofere probabil primele rezultatele ale producţiei de masă undeva în 2015.
Ocupantul locului trei în locul producătorilor de chipuri, TSMC, a anunţat că va demara producţia produselor FinFET care folosesc litografierea pe 16 nm undeva spre sfârşitul anului viitor, în timp ce Global Foundries le va oferi cam în aceeaşi perioadă cu Intel, undeva în 2014.